(*変数の設定*)

(*分割設定*)

(*X方向の分割数を与える。X軸方向の分割点数は(2n+1)になる。*)

n=2; (*160*)

(*計算領域のX幅を与える。*)

(* EvaluateX=CarrierRadius; *)

(*X軸方向の位置を設定*)

(* XPos=Table[-EvaluateX+(Evalua\000\000\000n)*i,{i,0,2*n}];(*02 Style*)  *) 

XPos=Table[-(EvaluateX*(2*n-1)/(2*n-2))+(EvaluateX/(2*n-2))*i,{i,0,2*n}];(*03 Style*)

(*次に層構成を設計する。今回は3層構造(誘電率で分類した時の話)まで対応している。*)

(*電極と1Layer間の分割数を設定する。ここで1Layerとは電極表面にするのが便利*)

nCto1=2;

(*1Layerと2Layer間の分割数を設定する*)

n1to2=1;

(*2Layerと3Layer間の分割数を設定する*)

n2to3=0;

(*3Layerと4Layer間の分割数を設定する。ここで4Layerは基盤電極である。*)

n3to4=1;

(*形状変数*)

(*円柱電極の半径を与える。(um)*)

CarrierRadius=6000;(*12&PHgr;として*)

(*1Layerの高さを与える*)

Height1Layer=1/10;

(*2Layerの高さを与える*)

Height2Layer=1500;

(*3Layerの高さを与える*)

Height3Layer=1500;

(*物理変数*)

(*電極の電位を与える*)

CarrierVoltage=1100;

(*4Layerの電位を与える*)

Layer4Voltage=0;

(*各層の誘電率を与える*)

(*真空中の誘電率を設定するが、相対的な話なのでここでは1とする。*)

ipsilon=1;	(*=8.85418782*10^(-12)*)

ipsilon0=ipsilon;

ipsilon1=4*ipsilon;

ipsilon2=2*ipsilon;

ipsilon3=8*ipsilon;